전체 글20 [반도체 소자] MOSFET IV 모델 MOSFET Vt, 바디 효과, 가파른 역경사 도핑 MOSFET의 반전층은 소오스와 드레인을 연결하는 저항성 N형 필름으로 생각될 수 있다. 전위가 Vs인 이 필름은 게이트와 함께 커패시터를 형성하며, 산화막은 커패시터의 유천체에 해당한다. 이 반전층은 또한 바디와 두 번째 커패시터를 형성하며 이 커패시터 유전체는 공핍층이다. 소오스-바디 접합에 역방향 전압이 걸리면 NFET의 Vt는 양의 방향으로 변하고 PFET의 Vt는 음의 방향으로 변한다. 일반적으로, 소오스-바디 접합에는 순방향 전압이 걸리지 않게 하여 순방향의 전류가 흐르지 않도록 한다. Vt가 바디 바이어스의 함수가 되는 현상을 바디 효과(body effect)라고 한다. 여러 개의 NFET들이 또는 PFET들이) 회로 안에서 직렬로 연결되는.. 2023. 12. 11. [반도체 소자]표면 이동도, GaAs MESFET, HEMT 표면 이동도와 고이동도 FET 반도체 소자 원리 중에 트랜지스터 전류를 크게 함으로써 MOSFET이 회로의 커패시턴스를 빠르게 충전 빛 방전하도록 하여 높은 회로 속도를 얻는 것이 매우 바람직하다. MOSFET의 전류를 결정하는 중요한 요인은 표면 반전층 내에서 전자나 정공의 이동도이다. 작은 Vds가 인가되었을 때 드레인으로부터 소오스로 전류 Ids가 흐른다. 여기서 W는 채널 폭을 나타내는데 면과는 직각 방향이고, 수직 방향 채널 크기가 된다. Qinv은 반전 전하 밀도이다. L은 채널 길이이다. GaAs MESFET 캐리어의 이동도가 크면 캐리어는 더 빠르게 움직이고 트랜지스터는 더 고속으로 동작할 수 있다. 고속 소자는 전자 기기의 작업량을 증가시킬 뿐만 아니라 값싼 마이크로웨이브 통신 등의 응용.. 2023. 12. 10. [반도체 소자] MOS 트랜지스터 MOSFET은 집적회로에 있어 가장 범용적인 반도체 소자이다. MOSFET은 디지털, 아날로그, 메모리 회로에 있어 가장 기본적인 구현 단위로, 크기가 작기 때문에 기가비트 수준의 메모리칩과 같은 저비용 고직접 회로를 제작할 수 있다. 또한 MOSFET은 전력 소모가 적고 속도가 빠르므로 기가헤르츠 수준의 처리 속도를 갖는 컴퓨터 프로세서와 고주파 대역의 신호를 사용하는 휴대전화 칩에 사용된다. MOSFET의 소개 MOSFET의 기본 구조는 두 개의 PN 접합은 각각 트랜지스터에 전자나 정공을 공급하는 소오스(source)와 전자나 정공을 빨아내는 드레인(drain)에 해당한다. 전계효과 트랜지스터(field-effect transistor) 또는 FET라는 용어는 게이트가 산화막을 통해 전기장을 사용하.. 2023. 12. 10. [반도체 소자]MOS 커패시터 반도체 소자에서 MOS 커패시터라는 용어는 자주 사용된다. MOS는 metal-oxide-semiconductor의 약자이다. MOS 커패시터는 반도체 바디(semiconductor body)라고도 하는 기판과 실리콘 산화막(Si02)과 같은 절연막, 게이트(gate)라고 부르는 금속 단자로 구성된다. 얇은 산화막의 두께는 약 1.5nm 정도이다. 1nm는 10A인데 이것은 산화막을 이루는 산화물 분자 몇 개에 지나지 않는 두께에 해당한다. 1970년 이전에는 게이트가 알루미늄과 같은 금속 물질로 만들어지는 것이 일반적이었다(MOS의 M이 그러한 의미이다). 1970년 이후에는 고농도로 이온 주입된 다결정 실리콘이 표준적인 게이트 물질로 사용되고 있다. 다결정 실리콘은 고 온에서 Si02와 반응하지 않으.. 2023. 12. 9. 이전 1 2 3 4 5 다음